SINTESIS DAN KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS TIN OXIDE (SnO2) DENGAN DOPING CAMPURAN INDIUM DAN ALUMINIUM MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL SPIN-COATING

HARIS, MUNANDAR (2020) SINTESIS DAN KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS TIN OXIDE (SnO2) DENGAN DOPING CAMPURAN INDIUM DAN ALUMINIUM MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL SPIN-COATING. S2 thesis, Universitas Mataram.

Text Tesis Haris Munandar (I2E018008).pdf Restricted to Repository staff only Download (3MB)

Abstract

Penelitian ini merupakan penelitian eksperimen yang bertujuan untuk mensintesis dan mengkarakterisasi lapisan tipis SnO2 dengan doping campuran Indium dan Aluminium (SnO2:In+Al). Penelitian ini dilaksanakan dalam dua tahap, yaitu tahap sintesis dan tahap karakterisasi. Tahap pertama, yaitu sintesis lapisan tipis SnO2 terdiri atas proses pembuatan sol-gel SnO2:In+Al dan pembentukan lapisan tipis SnO2:In+Al pada substrat kaca. Proses pembuatan sol-gel SnO2:In+Al dilakukan dengan cara melarutkan SnO2, In, dan Al ke dalam ethanol dan mengaduknya menggunakan magnetic stirrer. Persentase doping campuran Indium dan Aluminium yang digunakan pada proses pembuatan sol-gel SnO2:In+Al adalah 0, 5, 10, 15, 20, dan 25%. Proses pembentukan lapisan tipis SnO2:In+Al pada substrat kaca dilakukan dengan teknik pemutaran (spin-coating). Larutan SnO2:In+Al diteteskan sebanyak 0,2 ml di atas substrat kaca yang telah diletakkan di atas alat spin coater kemudian diputar dengan kecepatan 2000 rpm selama 2 menit. Lapisan tipis yang dihasilkan semakin transparan dengan peningkatan doping campuran Indium dan Aluminium. Tahap ke dua, yaitu karakterisasi lapisan tipis yang bertujuan untuk mengamati sifat optik menggunakan alat Thermo Scientific Genesys 150 UV-Spectrofotometer. Hasil karakterisasi sifat optik menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2:In+Al mengalami peningkatan transmitansi dari 68,6% sampai 78,3% pada panjang gelombang 300 nm sampai 470 nm seiring dengan peningkatan konsentrasi doping. Peningkatan absorbansi maksimum terjadi pada panjang gelombang 295 nm, yaitu dari 4,34 sampai 5,00 seiring dengan peningkatan persentase doping. Hal ini menunjukkan bahwa lapisan tipis menyerap gelombang maksimum pada panjang gelombang 295 nm. Data nilai absorbansi digunakan untuk mencari celah pita energi dan energi aktivasi optik yang dimiliki oleh lapisan tipis SnO2:In+Al. Celah pita energi lapisan tipis SnO2:In+Al mengalami penurunan dari 3,58 eV sampai 3,54 eV untuk celah pita energi direct, dan 3,90 eV sampai 3,87 eV untuk celah pita energi indirect. Berkurangnya celah pita energi membuat elektron lebih mudah berpindah dari pita valensi ke pita konduksi. Energi aktivasi optik lapisan tipis SnO2:In+Al menurun dari 0,97 eV sampai 0,86 eV. Menurunnya energi aktivasi optik membuat elektron berpindah dengan energi yang lebih sedikit dari pita valensi ke pita konduksi.

Item Type:	Thesis (S2)
Keywords (Kata Kunci):	Kata Kunci: Aluminium, Indium, Lapisan Tipis, SnO2, Sol-Gel, Spin Coating.
Subjects:	L Education > L Education (General)
Divisions:	Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan
Depositing User:	Rini Trisnawati
Date Deposited:	03 Aug 2020 01:52
Last Modified:	03 Aug 2020 01:52
URI:	http://eprints.unram.ac.id/id/eprint/16430

Actions (login required)

View Item