SINTESIS DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TiO2 DOPING CAMPURAN FLUORIN DAN INDIUM MENGGUNAKAN METODE SOL-GEL SPIN-COATING SEBAGAI BAHAN SEL SURYA

DEDI, RIYAN RIZALDI (2021) SINTESIS DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TiO2 DOPING CAMPURAN FLUORIN DAN INDIUM MENGGUNAKAN METODE SOL-GEL SPIN-COATING SEBAGAI BAHAN SEL SURYA. S2 thesis, Universitas Mataram.

[img] Text
3. TESIS_ DEDI RIYAN RIZALDI_I2E019004 - Copy.pdf
Restricted to Repository staff only

Download (4MB)

Abstract

Penelitian ini merupakan penelitian eksperimen yang bertujuan untuk mensintesis dan mengkarakterisasi lapisan tipis TiO2 dengan doping campuran Fluorin dan Indium (TiO2:F+In) menggunakan metode sol-gel spin-coating sebagai bahan sel surya. Material dasar yang dijadikan sebagai bahan pembuatan lapisan tipis berbasis sel surya dalam penelitian ini adalah Titanium Dioksida (TiO2). Penelitian ini dilaksanakan dalam dua tahapan yaitu tahap sintesis dan tahap karakterisasi lapisan tipis. Tahap pertama, dilakukan sistesis atau pembuatan lapisan tipis TiO2 yang melalui tahapan preparasi substrat, pembuatan larutan sol- gel, deposisi lapisan tipis, dan proses pemanasan. Tahap kedua yaitu proses karakterisasi lapisan tipis menggunakan alat X-Rays Difraction (XRD) untuk mengidentifikasi sifat kristal dan Spectrofotometer UV Vis untuk mengetahui sifat optik dari lapisan tipis. Berdasarkan analisis data dan pembahasan didapatkan hasil uji XRD bahwa lapisan tipis TiO2:(F+In) memiliki fase Anatase dengan bentuk Tetragonal, serta memiliki ukuran rata-rata kristal yang semakin mengecil dari 23,14 sampai 12,17 nm. Hasil uji Spectrofometer UV Vis menunjukkan bahwa nilai transmitansi lapisan tipis mulai mengalami peningkatan pada panjang gelombang 350 – 600 nm dengan rata-rata persentase nilai maksimum dari 69,55- 73,76%, sedangkan nilai absorbansi lapisan tipis maksimum berada pada daerah dengan panjang gelombang 220-250 nm dengan nilai 6,04 sampai 6,57. Data nilai absorbansi yang diperoleh kemudian dianalisis menggunakan aplikasi microsoft excel untuk memperoleh nilai celah pita energi dan energi aktivasi Celah pita energi dan energi aktivasi lapisan tipis TiO2:(F+In) mengalami penurunan seiring dengan penambahan konsentrasi doping. Penurunan celah pita energi dapat mempermudah terjadiya proses perpindahan elektron dari pita valensi menuju pita konduksi. Sedangkan semakin kecil energi aktivasi yang dimiliki lapisan tipis maka akan semakin kecil energi yang dikeluarkan agar reaksi kimia dapat terjadi.

Item Type: Thesis (S2)
Keywords (Kata Kunci): Kata Kunci: Lapisan Tipis, TiO2, Fluorin, Indium, Sel Surya.
Subjects: L Education > L Education (General)
Divisions: Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan
Depositing User: Rini Trisnawati
Date Deposited: 12 Aug 2021 23:47
Last Modified: 12 Aug 2021 23:47
URI: http://eprints.unram.ac.id/id/eprint/23196

Actions (login required)

View Item View Item