PENUMBUHAN DAN KARAKTERISASI FILM SnO2 DENGAN DOPING Al – Zn MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL DIP COATING.

IKRAMAN, NORMA (2017) PENUMBUHAN DAN KARAKTERISASI FILM SnO2 DENGAN DOPING Al – Zn MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL DIP COATING. S1 thesis, Universitas Mataram.

Text TESIS NORMA IKRAMAN.pdf Restricted to Repository staff only Download (5MB)

Abstract

Penumbuhan Dan Karakterisasi Film SnO2 Dengan Doping Al-Zn Menggunakan Teknik Sol-Gel Dip Coating. Tesis. Program Studi Magister Pendidikan IPA, Program Pascasarjana Universitas Mataram di bawah bimbingan Drs. Aris Doyan, M.Si, PhD sebagai pembimbing I dan Susilawati, M.Si., Ph.D sebagai pembimbing II. Abstract. Film Sn1-2xAlxZnxO2 menggunakan metode sol-gel dip coating telah berhasil ditumbuhkan. Bahan yang digunakan adalah SnCl2.2H2O dan AlCl3 dan ZnCl2 dengan variasi konsentrasi dopan x = 0,000, 0,005, 0,0025, dan 0,05. Film ditumbuhkan dengan konsentrasi sol 0,4 M pada pelarut air-etanol dengan perbandingan volume 5:45, deposisi menggunakan dip coater dengan whitdrawl speed 12 cm/menit dan sintering pada suhu 600 °C selama 30 menit. Karakteristik fase dikarakterisasi oleh XRD, karakteristik morfologi dan komposisi unsur-unsur penyusun film dikarakterisasi oleh SEM-EDX, karakteristik bentuk, struktur, dan ukuran partikel dikarakterisasi oleh TEM, dan karakteristik optik dikarakterisasi oleh UV-VIS Spectrophotometer. Hasil XRD menunjukkan bahwa semua film memiliki fase SnO2 rutile tetragonal tanpa fase lain dengan ukuran partikel meningkat dengan penambahan dopan. Hasil SEM menunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan memiliki morfologi yang halus dengan tekstur bergaris (x = 0,000) dan terdapat adanya retakan (x = 0,050). Hasil EDX menunjukkan bahwa unsur-unsur penyusun film tersebar merata dengan komposisi sesuai dengan perhitungan. Hasil TEM menunjukkan bahwa partikel film memiliki tiga struktur rutile polikristalin rutile tetragonal, ortorhombic dan amorf. Hasil UV-Vis menunjukkan bahwa film memiliki transmitansi yang rendah (<60%) dan reflektansi difusif yang tinggi yang mengindikasikan bahwa film memiliki permukaan yang kasar. Celah pita energi energi film meningkat seiring penambahan dan peningkatan jumlah dopan dengan variasi pada rentang 3,47 eV – 3,73 eV yang dikategorikan sebagai film semikonduktor.

Item Type:	Thesis (S1)
Keywords (Kata Kunci):	tin oxide, doping Zn, doping Al, Sol-Gel, Dip Coating
Subjects:	L Education > L Education (General)
Divisions:	Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan
Depositing User:	Syafruddin Dion
Date Deposited:	21 Apr 2018 04:54
Last Modified:	21 Apr 2018 04:54
URI:	http://eprints.unram.ac.id/id/eprint/2790

Actions (login required)

View Item